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GB/T 18210-2000晶體硅光伏(PV)方陣I-V特性的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量

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  • 發(fā)布時(shí)間:2013/10/17 15:01:38
  • 作者:銀河電氣

  《GB/T 18210-2000晶體硅光伏(PV)方陣I-V特性的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量》介紹兩種可以采用的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量方法,兩種方法使用GB/T6495.4給出的程序,對(duì)測(cè)得的光伏I-V特性進(jìn)行溫度和輻照度修正:
  1、方法A由直接的溫度測(cè)量確定方陣有效結(jié)溫TJ
  2、方法B由不同輻照度下記錄到的子方陣開(kāi)路電壓Voc數(shù)據(jù)推導(dǎo)出有效結(jié)溫TJ。


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